通过密度泛函理论（DFT）计算，中电研究了埋入缺陷氮化石墨中的单个TM原子上的电催化固氮，探讨了固氮的电化学机理。

因此，布电标准Z-schemeB-掺杂的g-C3N4/SnS2异质结构是将CO2还原成CH4的有效催化剂。图9在Z-scemeg-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上，网智CO2还原成CH4和CH3OH的可能反应路径图10Z-schemeg-C3N4/SnS2异质结构上CO2反应路径中的自由能计算图图11Z-schemeB掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上CO2反应路径中的自由能计算图图12Z-schemeg-C3N4/SnS2和B-掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上HER的能量分布图【小结】本文通过第一原理计算和实验设计了新的Z-schemeB-掺杂g-C3N4/SnS2光催化剂。

运能规对于B掺杂g-C3N4/SnS2的最佳路径是CO2→COOH*→CO*→HCO*→CHOH*→CH*→CH2*→CH3*→CH4。检管图8g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的光催化机理图（a）g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。对于B掺杂g-C3N4/SnS2的最佳路径是CO2→COOH*→CO*→HCO*→CHOH*→CH*→CH2*→CH3*→CH4，控系速率确定步骤为CH2*→CH3*，ΔG为0.40eV。

统功团体g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的模拟吸收光谱具有红移和更强的吸收。中电（g）B掺杂g-C3N4/SnS2的侧视图。

布电标准速率步骤（CH2*→CH3*）的ΔG为0.40eV。

与g-C3N4、网智B掺杂g-C3N4和SnS2相比，g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的带隙较小。大力推广开放获取的欧盟，运能规这一比例也仅为12.0%(不计英国则是11.4%)（数据来源：运能规开放获取：决心与现实——SCI期刊的OA刊比例及国别统计）而在开放获取实际运用过程中，也催生了一些负面影响。

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